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STWA40N60M2

STWA40N60M2

참조 용

부품 번호 STWA40N60M2
PNEDA 부품 번호 STWA40N60M2
설명 MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,258
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STWA40N60M2 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STWA40N60M2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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STWA40N60M2 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™ M2
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)34A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스TO-247-3

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT3

패키지 / 케이스

SC-96

IXTP52P10P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarP™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2845pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI3446ADV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NTD4809NA-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.6A (Ta), 58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1456pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

BS170FTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150µA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

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