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STS8DNH3LL

STS8DNH3LL

참조 용

부품 번호 STS8DNH3LL
PNEDA 부품 번호 STS8DNH3LL
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $330.8438
50 ---------- $315.3355
100 ---------- $299.8272
200 ---------- $284.3189
400 ---------- $271.3953
500 ---------- $258.4717
재고 있음 10,776
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STS8DNH3LL 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS8DNH3LL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS8DNH3LL, STS8DNH3LL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 336.34 KB)
PDFSTS8DNH3LL 데이터 시트 표지
STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 2 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 3 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 4 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 5 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 6 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 7 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 8 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 9 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 10 STS8DNH3LL 데이터 시트 페이지 11

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STS8DNH3LL 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ III
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds857pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Infineon Technologies

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3500pF @ 15V

전력-최대

57W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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SI7922DN-T1-E3

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

NVMFD5C462NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.6A (Ta), 70A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 25V

전력-최대

3.2W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

CTLDM8120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

860mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 16V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.92A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 16V

전력-최대

730mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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