STS5PF30L
참조 용
| 부품 번호 | STS5PF30L |
| PNEDA 부품 번호 | STS5PF30L |
| 설명 | MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,322 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STS5PF30L 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STS5PF30L |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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STS5PF30L 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | STripFET™ |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±16V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.5W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.7nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2050pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 480mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 125pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-243AA (SOT-89) 패키지 / 케이스 TO-243AA |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSIII FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 245pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 UFM 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads |
