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STS5N15F3

STS5N15F3

참조 용

부품 번호 STS5N15F3
PNEDA 부품 번호 STS5N15F3
설명 MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 39,702
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS5N15F3 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS5N15F3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STS5N15F3, STS5N15F3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 573.38 KB)
PDFSTS5N15F3 데이터 시트 표지
STS5N15F3 데이터 시트 페이지 2 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 3 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 4 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 5 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 6 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 7 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 8 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 9 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 10 STS5N15F3 데이터 시트 페이지 11

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STS5N15F3 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ III
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs57mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1300pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830mW (Ta)

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

230mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 230mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 26µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

41pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI1499DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 4V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 2.78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

STB30NM60ND

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

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100nC @ 10V

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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