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STK14CA8-RF35ITR

STK14CA8-RF35ITR

참조 용

부품 번호 STK14CA8-RF35ITR
PNEDA 부품 번호 STK14CA8-RF35ITR
설명 IC NVSRAM 1M PARALLEL 48SSOP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,578
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 3 - 7월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STK14CA8-RF35ITR 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STK14CA8-RF35ITR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
STK14CA8-RF35ITR, STK14CA8-RF35ITR 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,020.6 KB)
PDFSTK14CA8-RF45I 데이터 시트 표지
STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 2 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 3 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 4 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 5 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 6 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 7 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 8 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 9 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 10 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 11

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STK14CA8-RF35ITR 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지35ns
접근 시간35ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지48-SSOP

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SSOPB

MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

132-VBGA (12x18)

TH58BYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

Benand™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-TFBGA (9x11)

93C56AT-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AS4C32M32MD2-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

1Gb (32M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-VFBGA

공급자 장치 패키지

134-FBGA (10x11.5)

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