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STI260N6F6

STI260N6F6

참조 용

부품 번호 STI260N6F6
PNEDA 부품 번호 STI260N6F6
설명 MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
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STI260N6F6 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STI260N6F6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STI260N6F6, STI260N6F6 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 750.38 KB)
PDFSTP260N6F6 데이터 시트 표지
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STI260N6F6 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs183nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I2PAK
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

770mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS220™

패키지 / 케이스

ISOPLUS220™

EPC2031

EPC

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 15mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Die

패키지 / 케이스

Die

R6020ENZ1C9

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

196mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

120W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

2N7236U

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-267AB

패키지 / 케이스

TO-267AB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2404pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

46.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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