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STFI11N60M2-EP

STFI11N60M2-EP

참조 용

부품 번호 STFI11N60M2-EP
PNEDA 부품 번호 STFI11N60M2-EP
설명 MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STFI11N60M2-EP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STFI11N60M2-EP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STFI11N60M2-EP, STFI11N60M2-EP 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 299.32 KB)
PDFSTFI11N60M2-EP 데이터 시트 표지
STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 2 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 3 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 4 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 5 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 6 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 7 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 8 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 9 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 10 STFI11N60M2-EP 데이터 시트 페이지 11

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  • STFI11N60M2-EP Price
  • STFI11N60M2-EP Distributor

STFI11N60M2-EP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5280pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

203W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

104mOhm @ 10A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

785pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

165W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247N

패키지 / 케이스

TO-247-3

STB20N60M2-EP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4.75V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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