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STB21NM50N

STB21NM50N

참조 용

부품 번호 STB21NM50N
PNEDA 부품 번호 STB21NM50N
설명 MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
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STB21NM50N 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STB21NM50N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STB21NM50N, STB21NM50N 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 463.74 KB)
PDFSTP21NM50N 데이터 시트 표지
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STB21NM50N 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™ II
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs65nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1950pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)140W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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STMicroelectronics

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

950V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

690A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6V @ 130mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2300nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

59000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2500W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

Y3-DCB

패키지 / 케이스

Y3-DCB

AUIRFN8401TR

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

84A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2170pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.2W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

TK13E25D,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

102W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2945pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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