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SSM3J15FU,LF

SSM3J15FU,LF

참조 용

부품 번호 SSM3J15FU,LF
PNEDA 부품 번호 SSM3J15FU-LF
설명 MOSFET P-CH 30V 0.1A USM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM3J15FU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM3J15FU,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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SSM3J15FU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈π-MOSVI
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.7V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9.1pF @ 3V
FET 기능-
전력 손실 (최대)150mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지USM
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

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17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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-

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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