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SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

참조 용

부품 번호 SQJQ906EL-T1_GE3
PNEDA 부품 번호 SQJQ906EL-T1_GE3
설명 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 2,610
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SQJQ906EL-T1_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQJQ906EL-T1_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SQJQ906EL-T1_GE3, SQJQ906EL-T1_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 169.74 KB)
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  • SQJQ906EL-T1_GE3 Distributor

SQJQ906EL-T1_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)160A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3238pF @ 20V
전력-최대187W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® 8 x 8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® 8 x 8 Dual

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

440mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.45pC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 25V

전력-최대

650mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

APTM50DUM25TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

149A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

29600pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

FW274-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

전력-최대

2.2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

MCH6613-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA, 200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

FDS4897AC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A, 5.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1055pF @ 20V

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