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SP8J65TB1

SP8J65TB1

참조 용

부품 번호 SP8J65TB1
PNEDA 부품 번호 SP8J65TB1
설명 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8J65TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8J65TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SP8J65TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs29mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1200pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

200mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 32V

전력-최대

1.29W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

APTM100AM90FG

Microsemi

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Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

744nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20700pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

FDMC3300NZA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

815pF @ 10V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

1.5W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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