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SN7002WH6433XTMA1

SN7002WH6433XTMA1

참조 용

부품 번호 SN7002WH6433XTMA1
PNEDA 부품 번호 SN7002WH6433XTMA1
설명 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SN7002WH6433XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SN7002WH6433XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • SN7002WH6433XTMA1 Distributor

SN7002WH6433XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FQB7N80TM_AM002

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 167W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFN80N50P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

66A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

195nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227B

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

IRLR2905ZTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1570pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF7488PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1680pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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