SIZ998DT-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIZ998DT-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIZ998DT-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 58,914 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIZ998DT-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIZ998DT-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SIZ998DT-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V |
| 전력-최대 | 20.2W, 32.9W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PowerPair® |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.6A, 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A, 10.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 3.3W, 3.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1600pF @ 12V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PG-TISON-8 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.6A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 910pF @ 15V 전력-최대 1.4W, 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 MPT6 |
