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SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIS782DN-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIS782DN-T1-GE3
설명 MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 8,730
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIS782DN-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIS782DN-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIS782DN-T1-GE3, SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 587.99 KB)
PDFSIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 표지
SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 10 SIS782DN-T1-GE3 데이터 시트 페이지 11

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SIS782DN-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1025pF @ 15V
FET 기능Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대)41W (Tc)
작동 온도-50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스PowerPAK® 1212-8

관심을 가질만한 제품

IRF3305PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI4116DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1925pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRFC4568EF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

NTD3055L170-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

275pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 28.5W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRL530NSTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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