SIRA58DP-T1-GE3
참조 용
부품 번호 | SIRA58DP-T1-GE3 |
PNEDA 부품 번호 | SIRA58DP-T1-GE3 |
설명 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
제조업체 | Vishay Siliconix |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 27,576 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIRA58DP-T1-GE3 리소스
브랜드 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SIRA58DP-T1-GE3 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
데이터 시트 |
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SIRA58DP-T1-GE3 사양
제조업체 | Vishay Siliconix |
시리즈 | TrenchFET® |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (최대) | +20V, -16V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3750pF @ 20V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 27.7W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
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