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SI8274AB4D-IMR

SI8274AB4D-IMR

참조 용

부품 번호 SI8274AB4D-IMR
PNEDA 부품 번호 SI8274AB4D-IMR
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
제조업체 Silicon Labs
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SI8274AB4D-IMR 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8274AB4D-IMR
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8274AB4D-IMR, SI8274AB4D-IMR 데이터 시트 (총 페이지: 49, 크기: 935.99 KB)
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SI8274AB4D-IMR 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수2
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)200kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)105ns, 75ns
펄스 폭 왜곡 (최대)47ns
상승 / 하강 시간 (일반)10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음1.8A, 4A
전류-피크 출력4A
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급4.6V ~ 30V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스14-VFLGA
공급자 장치 패키지14-LGA (5x5)
승인CQC, CSA, UR, VDE

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전압-절연

3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

10kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

200ns, 200ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

65ns

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

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전압-순방향 (Vf) (통상)

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전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

400ns, 400ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

100ns

상승 / 하강 시간 (일반)

60ns, 60ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

3A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

승인

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HCPL-T251#300

Broadcom

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Broadcom Limited

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-

기술

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채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

10kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

1µs, 1µs

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

-, 100mA

전류-피크 출력

400mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-20°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-DIP Gull Wing

승인

CSA, UR

SI823H1BB-IS1

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

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기술

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채널 수

-

전압-절연

-

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

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