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SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1967DH-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1967DH-T1-E3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
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SI1967DH-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1967DH-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1967DH-T1-E3, SI1967DH-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 109 KB)
PDFSI1967DH-T1-E3 데이터 시트 표지
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  • SI1967DH-T1-E3 Distributor

SI1967DH-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs490mOhm @ 910mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds110pF @ 10V
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)

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80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2457pF @ 25V

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 14A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 12.5V

전력-최대

6W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 10V

전력-최대

330mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1605pF @ 20V

전력-최대

1.7W

작동 온도

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