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SI1026X-T1-E3

SI1026X-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1026X-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1026X-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
제조업체 Vishay Siliconix
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SI1026X-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1026X-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1026X-T1-E3, SI1026X-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 143.85 KB)
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SI1026X-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)305mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds30pF @ 25V
전력-최대250mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SC-89-6

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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SI1970DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

95pF @ 15V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

SIA923AEDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 10V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FDPC3D5N025X9D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

74A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.01mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3340pF @ 13V

전력-최대

26W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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2 N-Channel (Dual)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8600pF @ 25V

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180W

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