SFAS806G MNG
참조 용
| 부품 번호 | SFAS806G MNG |
| PNEDA 부품 번호 | SFAS806G-MNG |
| 설명 | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,120 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SFAS806G MNG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SFAS806G MNG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SFAS806G MNG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 8A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263AB (D²PAK) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 120V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 740mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 150µA @ 120V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 SMPC4.0 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 40V 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-41 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 660mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 16A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.35V @ 6A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 420V 커패시턴스 @ Vr, F 302pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 510mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 300µA @ 35V 커패시턴스 @ Vr, F 700pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Powermite®3 공급자 장치 패키지 Powermite 3 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
