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SBRS8190T3G

SBRS8190T3G

참조 용

부품 번호 SBRS8190T3G
PNEDA 부품 번호 SBRS8190T3G
설명 DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 26,640
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SBRS8190T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SBRS8190T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SBRS8190T3G, SBRS8190T3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 174.34 KB)
PDFSBRS8190T3G-VF01 데이터 시트 표지
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SBRS8190T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)90V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 90V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지SMB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

FSV8100V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

670mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

19.64ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

672pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277-3

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RMPG06GHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

6.6pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

MPG06, Axial

공급자 장치 패키지

MPG06

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBR7530R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

75A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 75A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25nA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

작동 온도-접합

200°C (Max)

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