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S6JR

S6JR

참조 용

부품 번호 S6JR
PNEDA 부품 번호 S6JR
설명 DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S6JR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S6JR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S6JR, S6JR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 771.15 KB)
PDFS6JR 데이터 시트 표지
S6JR 데이터 시트 페이지 2 S6JR 데이터 시트 페이지 3

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S6JR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 6A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

S1GLR2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

GP10J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

BAS29,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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