S1MLWHRVG
참조 용
| 부품 번호 | S1MLWHRVG |
| PNEDA 부품 번호 | S1MLWHRVG |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 100,272 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S1MLWHRVG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S1MLWHRVG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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S1MLWHRVG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 1A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123W |
| 공급자 장치 패키지 | SOD123W |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 36A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 600pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-2 공급자 장치 패키지 TO-247 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 570mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2mA @ 35V 커패시턴스 @ Vr, F 900pF @ 5V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 90V 전류-평균 정류 (Io) 700mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 810mV @ 700mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 90V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 800mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 800mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
