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S1BLHR3G

S1BLHR3G

참조 용

부품 번호 S1BLHR3G
PNEDA 부품 번호 S1BLHR3G
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 3,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1BLHR3G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1BLHR3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S1BLHR3G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.8µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F9pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SS26L MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

UF1DLW RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123W

공급자 장치 패키지

SOD123W

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

STTH8ST06DI

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.4V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

17ns

전류-역방향 누설 @ Vr

6µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Insulated, TO-220AC

공급자 장치 패키지

TO-220AC ins

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

SS12P2LHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

930pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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