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RYM002N05T2CL

RYM002N05T2CL

참조 용

부품 번호 RYM002N05T2CL
PNEDA 부품 번호 RYM002N05T2CL
설명 MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RYM002N05T2CL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RYM002N05T2CL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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RYM002N05T2CL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)0.9V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds26pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)150mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지VMT3
패키지 / 케이스SOT-723

관심을 가질만한 제품

SISH116DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8SH

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8SH

PMK35EP,518

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

5HN01C-TB-EX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

IPI037N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.75mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 155µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8110pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

214W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

APT106N60B2C6

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

106A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 53A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

308nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

833W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

T-MAX™ [B2]

패키지 / 케이스

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