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RXR035N03TCL

RXR035N03TCL

참조 용

부품 번호 RXR035N03TCL
PNEDA 부품 번호 RXR035N03TCL
설명 MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
제조업체 Rohm Semiconductor
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RXR035N03TCL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RXR035N03TCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RXR035N03TCL, RXR035N03TCL 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 2,207.17 KB)
PDFRXR035N03TCL 데이터 시트 표지
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  • RXR035N03TCL Distributor

RXR035N03TCL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.3nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds180pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TSMT3
패키지 / 케이스SC-96

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1230pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-FlipFet™

패키지 / 케이스

4-FlipFet™

제조업체

IXYS

시리즈

FRFET®, SupreMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

550A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

595nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

24-SMPD

패키지 / 케이스

24-PowerSMD, 21 Leads

APTM10SKM05TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

278A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

700nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SP4

패키지 / 케이스

SP4

IRF7321D2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

FETKY™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

62mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 25V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

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-

FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

305nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9835pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1135W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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