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RSD080P05TL

RSD080P05TL

참조 용

부품 번호 RSD080P05TL
PNEDA 부품 번호 RSD080P05TL
설명 MOSFET P-CH 45V 8A CPT3
제조업체 Rohm Semiconductor
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RSD080P05TL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RSD080P05TL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RSD080P05TL, RSD080P05TL 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 662.23 KB)
PDFRSD080P05TL 데이터 시트 표지
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RSD080P05TL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs91mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs93.4nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11000pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)15W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지CPT3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc) (165°C)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

415mOhm @ 4A

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

324pF @ 35V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 225°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-276

패키지 / 케이스

TO-276AA

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta), 12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

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