RN4909,LF(CT
참조 용
| 부품 번호 | RN4909,LF(CT |
| PNEDA 부품 번호 | RN4909-LF-CT |
| 설명 | PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,544 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RN4909 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RN4909,LF(CT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 |
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RN4909 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| 저항-베이스 (R1) | - |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| 주파수-전환 | - |
| 전력-최대 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 230MHz 전력-최대 230mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN1010B-6 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 1kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 250MHz 전력-최대 100mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 200MHz 전력-최대 300mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 SM6 |
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