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RLZTE-114.3C

RLZTE-114.3C

참조 용

부품 번호 RLZTE-114.3C
PNEDA 부품 번호 RLZTE-114-3C
설명 DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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RLZTE-114.3C 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RLZTE-114.3C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
RLZTE-114.3C, RLZTE-114.3C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 820.02 KB)
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RLZTE-114.3C 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.3V
공차±3%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)40 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지LLDS

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N6031A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±10%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

2.7 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 122V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX384B15-E3-18

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

CDLL6024

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

EDZVT2R11B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±2%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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