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RJK0349DSP-00#J0

RJK0349DSP-00#J0

참조 용

부품 번호 RJK0349DSP-00#J0
PNEDA 부품 번호 RJK0349DSP-00-J0
설명 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
제조업체 Renesas Electronics America
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RJK0349DSP-00#J0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJK0349DSP-00#J0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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RJK0349DSP-00#J0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3850pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 15V

FET 기능

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 10V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 5V

Vgs (최대)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

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42nC @ 8V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 10V

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전력 손실 (최대)

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