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RJH60M2DPE-00#J3

RJH60M2DPE-00#J3

참조 용

부품 번호 RJH60M2DPE-00#J3
PNEDA 부품 번호 RJH60M2DPE-00-J3
설명 IGBT 600V 25A 63W LDPAK
제조업체 Renesas Electronics America
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RJH60M2DPE-00#J3 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH60M2DPE-00#J3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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  • RJH60M2DPE-00#J3 Distributor

RJH60M2DPE-00#J3 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)25A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대63W
에너지 전환180µJ (on), 180µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지33nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C32ns/70ns
테스트 조건300V, 12A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)85ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-83
공급자 장치 패키지4-LDPAK

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

380A

전류-수집기 펄스 (Icm)

900A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

전력-최대

1630W

에너지 전환

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

315nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/160ns

테스트 조건

360V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXXK)

AUIRGP50B60PD1E

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 50A

전력-최대

390W

에너지 전환

255µJ (on), 375µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

205nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/130ns

테스트 조건

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

SGS13N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

전력-최대

45W

에너지 전환

85µJ (on), 95µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/70ns

테스트 조건

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

FGPF30N30TTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

전력-최대

44.6W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/130ns

테스트 조건

200V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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TO-220F

63-7000PBF

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Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

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