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RGP10AE-M3/54

RGP10AE-M3/54

참조 용

부품 번호 RGP10AE-M3/54
PNEDA 부품 번호 RGP10AE-M3-54
설명 DIODE GEN PURPOSE DO-204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,634
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGP10AE-M3/54 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGP10AE-M3/54
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • RGP10AE-M3/54 Distributor

RGP10AE-M3/54 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈*
다이오드 유형-
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-평균 정류 (Io)-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도-
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-

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GeneSiC Semiconductor

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MSS2P3-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AD

공급자 장치 패키지

MicroSMP (DO-219AD)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GP2D050A060B

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

50A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 50A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

170µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

2635pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SF12-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

SS14LS RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123H

공급자 장치 패키지

SOD-123HE

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