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R7S01612XX

R7S01612XX

참조 용

부품 번호 R7S01612XX
PNEDA 부품 번호 R7S01612XX
설명 DIODE GP 1.6KV 1200A DO200AA R62
제조업체 Powerex Inc.
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R7S01612XX 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R7S01612XX
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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R7S01612XX 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1600V
전류-평균 정류 (Io)1200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.6V @ 1500A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)10µs
전류-역방향 누설 @ Vr50mA @ 1600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스DO-200AA, A-PUK
공급자 장치 패키지DO-200AA, R62
작동 온도-접합-

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N4246GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

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ON Semiconductor

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430mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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