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R6006JNXC7G

R6006JNXC7G

참조 용

부품 번호 R6006JNXC7G
PNEDA 부품 번호 R6006JNXC7G
설명 NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
제조업체 Rohm Semiconductor
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R6006JNXC7G 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R6006JNXC7G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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R6006JNXC7G 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs936mOhm @ 3A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id7V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15.5nC @ 15V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds410pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)43W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FM
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CE

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 600mA, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

124pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223

패키지 / 케이스

SOT-223-3

IRLML2246TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Micro3™/SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FQP17N40

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPC65R070C6X1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

660mA

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

170pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-723

패키지 / 케이스

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