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R1EX24512BSAS0I#S0

R1EX24512BSAS0I#S0

참조 용

부품 번호 R1EX24512BSAS0I#S0
PNEDA 부품 번호 R1EX24512BSAS0I-S0
설명 IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOP
제조업체 Renesas Electronics America
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재고 있음 7,668
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1EX24512BSAS0I#S0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1EX24512BSAS0I#S0
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
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PDFR1EX24512BTAS0I#S0 데이터 시트 표지
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R1EX24512BSAS0I#S0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간550ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

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시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

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-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

24Gb (384M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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