QH8KA1TCR
참조 용
| 부품 번호 | QH8KA1TCR |
| PNEDA 부품 번호 | QH8KA1TCR |
| 설명 | 30V NCH+NCH POWER MOSFET |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,058 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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QH8KA1TCR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | QH8KA1TCR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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QH8KA1TCR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 125pf @ 15V |
| 전력-최대 | 2.4W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | TSMT8 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 690pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
