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PZM3.6NB2A,115

PZM3.6NB2A,115

참조 용

부품 번호 PZM3.6NB2A,115
PNEDA 부품 번호 PZM3-6NB2A-115
설명 DIODE ZENER 3.6V 220MW SMT3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,012
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PZM3.6NB2A 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PZM3.6NB2A,115
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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PZM3.6NB2A 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.6V
공차±3%
전력-최대220mW
임피던스 (최대) (Zzt)90 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 100mA
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SMT3; MPAK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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13V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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39V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 30V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

100°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.55 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1SMA5945HR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

120 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 51.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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