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PTFB241402F-V1-R250

PTFB241402F-V1-R250

참조 용

부품 번호 PTFB241402F-V1-R250
PNEDA 부품 번호 PTFB241402F-V1-R250
설명 IC AMP RF LDMOS
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
재고 있음 2,214
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFB241402F-V1-R250 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB241402F-V1-R250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFB241402F-V1-R250, PTFB241402F-V1-R250 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 511.59 KB)
PDFPTFB241402F-V1-R0 데이터 시트 표지
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PTFB241402F-V1-R250 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.4GHz
이득17dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트120mA
전원-출력110W
전압-정격65V
패키지 / 케이스H-37248-4
공급자 장치 패키지H-37248-4

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

420MHz ~ 500MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

22W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

20.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

27W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

GTVA220701FA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.805GHz ~ 2.17GHz

이득

22dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

70W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37265J-2

공급자 장치 패키지

H-37265J-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

520MHz

이득

17.7dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

31W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

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