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PTFA192001EV4R250XTMA1

PTFA192001EV4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA192001EV4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA192001EV4R250XTMA1
설명 FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,268
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 13 - 11월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA192001EV4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA192001EV4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA192001EV4R250XTMA1, PTFA192001EV4R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 427.7 KB)
PDFPTFA192001EV4R0XTMA1 데이터 시트 표지
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  • PTFA192001EV4R250XTMA1 Distributor

PTFA192001EV4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득15.9dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.8A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36260-2

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시리즈

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주파수

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이득

13dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

90W

전압-정격

450V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

755MHz ~ 805MHz

이득

23.6dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

370W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

HBSOF-4-2

공급자 장치 패키지

PG-HBSOF-4-2

PD85025TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17.3dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

10W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PTFA041501F-V4-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

470MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

BLF6G21-10G,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

700mW

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

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