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PSMN5R4-25YLDX

PSMN5R4-25YLDX

참조 용

부품 번호 PSMN5R4-25YLDX
PNEDA 부품 번호 PSMN5R4-25YLDX
설명 PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
제조업체 Nexperia
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PSMN5R4-25YLDX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PSMN5R4-25YLDX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PSMN5R4-25YLDX, PSMN5R4-25YLDX 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 724.37 KB)
PDFPSMN5R4-25YLDX 데이터 시트 표지
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PSMN5R4-25YLDX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.69mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds858pF @ 12V
FET 기능Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대)47W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스SC-100, SOT-669

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제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™ HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

420A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

670nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

47000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1070W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227B

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

SI1062X-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.7nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

43pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

220mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-89-3

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

N0301P-T1-AT

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

STB47N50DM6AG

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263)

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 36W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP Advance (5x5)

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LTM8045IY#PBF

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MAX15303AA00+CM

MAX15303AA00+CM

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PCA9515ADP,118

PCA9515ADP,118

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