PSMN4R8-100PSEQ
참조 용
| 부품 번호 | PSMN4R8-100PSEQ |
| PNEDA 부품 번호 | PSMN4R8-100PSEQ |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V TO220AB |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 30,336 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PSMN4R8-100PSEQ 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PSMN4R8-100PSEQ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PSMN4R8-100PSEQ 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tj) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 278nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14400pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 405W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D3Pak 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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