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PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

참조 용

부품 번호 PMWD19UN,518
PNEDA 부품 번호 PMWD19UN-518
설명 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,176
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMWD19UN 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMWD19UN,518
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMWD19UN, PMWD19UN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 244.37 KB)
PDFPMWD19UN 데이터 시트 표지
PMWD19UN 데이터 시트 페이지 2 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 3 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 4 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 5 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 6 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 7 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 8 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 9 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 10 PMWD19UN 데이터 시트 페이지 11

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PMWD19UN 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1478pF @ 10V
전력-최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

282pF @ 15V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

DMC3071LVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V, 254pF @ 15V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

FDS9926A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FDZ2553N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1299pF @ 10V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

18-WFBGA

공급자 장치 패키지

18-BGA (2.5x4)

DMN63D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.87nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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