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PMGD290UCEAX

PMGD290UCEAX

참조 용

부품 번호 PMGD290UCEAX
PNEDA 부품 번호 PMGD290UCEAX
설명 MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMGD290UCEAX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD290UCEAX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD290UCEAX, PMGD290UCEAX 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 782.58 KB)
PDFPMGD290UCEAX 데이터 시트 표지
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PMGD290UCEAX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)725mA, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds83pF @ 10V
전력-최대280mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

전력-최대

24W, 75W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

BSC750N10NDGATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 12µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 50V

전력-최대

26W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-4

ECH8690-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

955pF @ 20V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

전력-최대

1.4W, 1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

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Advanced Linear Devices Inc.

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10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

전력-최대

500mW

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