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PMEG045T050EPDZ

PMEG045T050EPDZ

참조 용

부품 번호 PMEG045T050EPDZ
PNEDA 부품 번호 PMEG045T050EPDZ
설명 DIODE SCHOTTKY 45V 5A CFP15
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMEG045T050EPDZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMEG045T050EPDZ
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
PMEG045T050EPDZ, PMEG045T050EPDZ 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 231.4 KB)
PDFPMEG045T050EPDZ 데이터 시트 표지
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PMEG045T050EPDZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If465mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)24ns
전류-역방향 누설 @ Vr44µA @ 45V
커패시턴스 @ Vr, F830pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-277, 3-PowerDFN
공급자 장치 패키지CFP15
작동 온도-접합175°C (Max)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.47V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

530pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

LFUSCD15120A

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제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

15A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 15A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

375µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

750pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

175°C (Max)

RB085B-90GTL

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

RL102-N-0-3-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial, Radial Bend

공급자 장치 패키지

A-405

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N5831

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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