PHX20N06T,127
참조 용
| 부품 번호 | PHX20N06T,127 |
| PNEDA 부품 번호 | PHX20N06T-127 |
| 설명 | MOSFET N-CH 55V 12.9A SOT186A |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,014 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 4 - 7월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
PHX20N06T 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
|
| Mfr. 부품 번호 | PHX20N06T,127 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- PHX20N06T,127 Datasheet
- where to find PHX20N06T,127
- NXP
- NXP PHX20N06T,127
- PHX20N06T,127 PDF Datasheet
- PHX20N06T,127 Stock
- PHX20N06T,127 Pinout
- Datasheet PHX20N06T,127
- PHX20N06T,127 Supplier
- NXP Distributor
- PHX20N06T,127 Price
- PHX20N06T,127 Distributor
PHX20N06T 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 55V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12.9A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 320pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 23W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220F |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 520mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1423pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 170W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 146nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3247pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 93nC @ 8V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2900pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) 패키지 / 케이스 4-UFBGA |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.76mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 155nC @ 10V Vgs (최대) +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7570pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 83.3W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 27A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 265mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3830pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3P 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 |
