PHK04P02T,518
참조 용
| 부품 번호 | PHK04P02T,518 |
| PNEDA 부품 번호 | PHK04P02T-518 |
| 설명 | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,570 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PHK04P02T 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PHK04P02T,518 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PHK04P02T 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 16V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.66A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 600mV @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 528pF @ 12.8V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 5W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 SuperMESH™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 160pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 30W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Global Power Technologies Group 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.65Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 627pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 92.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1358pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 52W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
