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PCA8581T/6,112

PCA8581T/6,112

참조 용

부품 번호 PCA8581T/6,112
PNEDA 부품 번호 PCA8581T-6-112
설명 IC EEPROM 1K I2C 100KHZ 8SO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,644
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PCA8581T/6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PCA8581T/6,112
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
PCA8581T/6, PCA8581T/6 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 107.93 KB)
PDFPCA8581T/6 데이터 시트 표지
PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 2 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 3 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 4 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 5 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 6 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 7 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 8 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 9 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 10 PCA8581T/6 데이터 시트 페이지 11

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PCA8581T/6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간-
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

36-EDIP

FT24C16A-UMR-B

Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Tb (128G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-LBGA

공급자 장치 패키지

152-LBGA (14x18)

CY14B101LA-SZ45XIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

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