NXPSC08650BJ
참조 용
| 부품 번호 | NXPSC08650BJ | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | NXPSC08650BJ | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | WeEn Semiconductors | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 601 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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NXPSC08650BJ 리소스
| 브랜드 | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NXPSC08650BJ |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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NXPSC08650BJ 사양
| 제조업체 | WeEn Semiconductors |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.7V @ 8A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 230µA @ 650V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 작동 온도-접합 | 175°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 5A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 120µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 250pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.28V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 35A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.97V @ 35A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 27µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Sawn on foil 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
