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NVTFS5C673NLWFTAG

NVTFS5C673NLWFTAG

참조 용

부품 번호 NVTFS5C673NLWFTAG
PNEDA 부품 번호 NVTFS5C673NLWFTAG
설명 MOSFET N-CH 60V 13A 50A 8WDFN
제조업체 ON Semiconductor
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NVTFS5C673NLWFTAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVTFS5C673NLWFTAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVTFS5C673NLWFTAG, NVTFS5C673NLWFTAG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 208.03 KB)
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  • NVTFS5C673NLWFTAG Distributor

NVTFS5C673NLWFTAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds880pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerWDFN

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5585pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta), 49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4765pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Power Clip 56

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

STFI7N80K5

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAKFP (TO-281)

패키지 / 케이스

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

IRL3103D2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 70W (Tc)

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-

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10.4A (Ta), 65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.8nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1308pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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