Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

NTMFS4982NFT1G

NTMFS4982NFT1G

참조 용

부품 번호 NTMFS4982NFT1G
PNEDA 부품 번호 NTMFS4982NFT1G
설명 MOSFET N-CH 30V 26.5A SO8FL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTMFS4982NFT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFS4982NFT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTMFS4982NFT1G, NTMFS4982NFT1G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 133.84 KB)
PDFNTMFS4982NFT3G 데이터 시트 표지
NTMFS4982NFT3G 데이터 시트 페이지 2 NTMFS4982NFT3G 데이터 시트 페이지 3 NTMFS4982NFT3G 데이터 시트 페이지 4 NTMFS4982NFT3G 데이터 시트 페이지 5 NTMFS4982NFT3G 데이터 시트 페이지 6 NTMFS4982NFT3G 데이터 시트 페이지 7 NTMFS4982NFT3G 데이터 시트 페이지 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • NTMFS4982NFT1G Datasheet
  • where to find NTMFS4982NFT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTMFS4982NFT1G
  • NTMFS4982NFT1G PDF Datasheet
  • NTMFS4982NFT1G Stock

  • NTMFS4982NFT1G Pinout
  • Datasheet NTMFS4982NFT1G
  • NTMFS4982NFT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTMFS4982NFT1G Price
  • NTMFS4982NFT1G Distributor

NTMFS4982NFT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)26.5A (Ta), 207A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs84nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6000pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

관심을 가질만한 제품

PSMN1R1-30PL,127

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

243nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14850pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

338W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

STL22N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

210mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1345pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 110W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (8x8) HV

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

ATP104-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3950pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

ATPAK

패키지 / 케이스

ATPAK (2 leads+tab)

SI4420DYPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2240pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXTH41N25

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

41A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXTH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

최근 판매

FMMT593TA

FMMT593TA

Diodes Incorporated

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

S25FL064P0XMFI001

S25FL064P0XMFI001

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC

ADM2484EBRWZ

ADM2484EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

AD8250ARMZ-RL

AD8250ARMZ-RL

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

AD5624RBRMZ-3REEL7

AD5624RBRMZ-3REEL7

Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

YC324-JK-0710KL

YC324-JK-0710KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 2012

HIH-5030-001

HIH-5030-001

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR HUMIDITY 5V ANALOG 3% SMD

1N4004GP-E3/54

1N4004GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

1N4148WS

1N4148WS

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

RHRP3060

RHRP3060

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

DS5000FP-16+

DS5000FP-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT EXTRNL NVSRAM 80QFP

NJM2670E3

NJM2670E3

NJR Corporation/NJRC

IC MTRDRV BIPLR 4.75-5.25V 24EMP