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NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G

참조 용

부품 번호 NTJD4158CT1G
PNEDA 부품 번호 NTJD4158CT1G
설명 MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,850,268
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTJD4158CT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTJD4158CT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTJD4158CT1G, NTJD4158CT1G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 142.1 KB)
PDFNTJD4158CT2G 데이터 시트 표지
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NTJD4158CT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)250mA, 880mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds33pF @ 5V
전력-최대270mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 10V

전력-최대

920mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

U-DFN3030-8

IRF7754TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1984pF @ 6V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

QS8M31TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC, 7.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF, 750pF @ 10V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

118A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

CSD87503Q3ET

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 15V

전력-최대

15.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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